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2016 IEDMプレビュー、7nm FinFETや4GビットSTT-MRAMが登場
米国の半導体技術の国際学会「2016 IEEE International Electron Devices Meeting(2016 IEDM)」(2016年12月3~7日、米国サンフランシスコ市)の事務局は2016年10月19日、プログラムと注目論文を発表した。
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米国の半導体技術の国際学会「2016 IEEE International Electron Devices Meeting(2016 IEDM)」(2016年12月3~7日、米国サンフランシスコ市)の事務局は2016年10月19日、プログラムと注目論文を発表した。
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