米Alpha and Omega Semiconductor社は、電力損失を10％、実装面積を14％削減できる電池保護回路向けMOSFET「AOC3860」を発売した。2個のnチャネル型MOSFETをドレイン共通で接続したものだ。耐圧は＋12Vである。ソース-ソース間のオン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が＋4.5Vのときに2.15mΩ（標準値）、　＋2.5Vのときに2.25mΩ（標準値）と小さい。このため、電池保護用MOSFETにおける電力損失を10％削減できるわけだ。この結果、多くの充電電流を流せるようになるため、より高速な急速充電が可能になる。スマートフォンなどに向ける。