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2xnm技術で試作した40Mビット埋め込みMRAM(後編)
2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット(5Mバイト)の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性(書き換えサイクル数とデータ保持期間)とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。
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