米GeneSiC Semicondutor社は、耐圧が約10kVと高いSiC BJT（バイポーラ・トランジスタ）を開発し、パワー半導体に関する国際会議「ISPSD 2013」（2013年5月26〜30日、石川県金沢市開催、主催は電気学会）で発表した（講演番号：6-1）。チップ・サイズが3.65mm角と7.3mm角の2種類を作成した。前者は、オン抵抗が110mΩcm²で電流増幅率は78、後者は同143mΩcm²で同75である。